產(chǎn)品介紹

SRM 2134 硅深度剖面標準中的砷植入 標準品 旨在用于通過二次離子質(zhì)譜 (SIMS) 分析技術(shù)校準對硅基質(zhì)中微量和痕量砷的二次離子響應(yīng)。 SRM 2134 用于校準 SIMS 儀器在特定儀器條件下對硅基質(zhì)中砷的響應(yīng)。它也可以被實驗室用作校準硅中砷工作標準的轉(zhuǎn)移標準。 SRM 2134 的一個單元由一個 1 cm × 1 cm 的單晶硅襯底組成，該襯底已被離子注入同位素 75As，標稱能量為 100 keV。 SRM 2134 經(jīng)認證可用于 75As 原子的保留劑量。劑量以每單位面積的砷質(zhì)量單位表示。 SIMS 提供了關(guān)于砷原子濃度隨地表以下深度變化的其他未經(jīng)認證的信息。

認證濃度值：

 75As 原子的總保留劑量通過儀器中子活化分析確定。將兩種獨立制備的砷參考溶液（其中一種是 NIST SRM 3103a 砷標準溶液，經(jīng)砷濃度認證）等分試樣沉積在濾紙上，作為分析中的標準。由此產(chǎn)生的認證價值和 擴展的不確定性是

認證值的不確定度表示為擴展不確定度 U = kuc，其中 k 是 2.04 的覆蓋因子，置信水平約為 95%，uc 是根據(jù) ISO 指南 [1] 計算的組合標準不確定度.組合標準不確定度是從測量過程中導出或估計的單個標準不確定度的平方和的平方根。

 A 型和 B 型標準不確定度分量來自以下主要來源的測量不確定度：(1) 比較標準的濃度，(2) 樣品和標準之間的中子注量暴露差異，(3) 測量復(fù)制，(4) 標準的計數(shù)統(tǒng)計，(5) 脈沖堆積，以及 (6) 衰減時間效應(yīng)。所有已知的潛在不確定性來源都已被考慮 [2-4]。

處理、儲存和使用說明

處理：SRM 2134  硅深度剖面標準中的砷植入 標準品  的植入面是拋光的反射面。該表面在包裝前已清潔。使用前，應(yīng)立即使用加壓空氣除塵器從表面清除灰塵顆粒。不建議在氫氟酸中蝕刻此 SRM，因為表面氧化物可能會去除一些砷。

儲存：不使用時，SRM 應(yīng)存放在其原始托盤中，并蓋緊蓋子。

用途：隨著連續(xù)層被離子轟擊去除，SIMS 可以通過監(jiān)測一種或多種濺射離子種類，獲得作為深度函數(shù)的材料成分信息。使用該技術(shù)時，通常使用與未知物質(zhì)在同一基質(zhì)中的相同物質(zhì)的參考樣品校準物質(zhì)的濃度值

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